Quantifying ion-induced defects and Raman relaxation length in graphene
MMMárcia Maria LuccheseFSFernando StavaleEHErlon H. Martins FerreiraCVCecília VilaniMVMarcus V. O. Moutinho
Instituto Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia · Universidade Federal do Rio de Janeiro · +1 more institution
Indexed incrossref
Abstract
No abstract available for this paper.
Citation impact
1,751
total citations
- FWCI
- 36.68
- Percentile
- 100%
- References
- 20
Citations per year
Authors
8- MMMárcia Maria Lucchese
Instituto Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia
- FSFernando Stavale
Instituto Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia
- EHErlon H. Martins Ferreira
Instituto Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia
- CVCecília Vilani
Instituto Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia
- MVMarcus V. O. Moutinho
Universidade Federal do Rio de Janeiro
Topics & keywords
Topics
Keywords
- Raman spectroscopy
- Graphene
- Materials science
- Raman scattering
- Ion
- Relaxation (psychology)
- Crystallite
- Molecular physics
UN Sustainable Development Goals
- Affordable and clean energy
No related works found for this paper.