Two-dimensional materials prospects for non-volatile spintronic memories
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Abstract
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Authors
17- HYHyunsoo YangCorresponding
National University of Singapore
- SOSergio O. Valenzuela
Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats, Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia
- MCMairbek Chshiev
Centre National de la Recherche Scientifique, Institut Universitaire de France, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Spintronique et Technologie des Composants, Université Grenoble Alpes
- SCSébastien Couet
IMEC
- BDB. Diény
Centre National de la Recherche Scientifique, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Spintronique et Technologie des Composants, Université Grenoble Alpes
Topics & keywords
Topics
Keywords
- Magnetoresistive random-access memory
- Spintronics
- Heterojunction
- Key (lock)
- Nanotechnology
- Non-volatile memory
- Materials science
- Engineering physics
UN Sustainable Development Goals
- Industry, innovation and infrastructure
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